در این رساله، برای محاسبه بهره و ضریب نویز اضافی افزاره آشکارساز نوری بهمنی مدلی ارائه کرده ایم که تابع توزیع طول یونیزاسیون برخوردی در ناحیه تکثیر همگون و ناهمگون را با دو بخش خطی و نمایی تقریب می زند. بر اساس این مدل، چگونگی توزیع طول یونیزاسیون برخوردی به ازای مقدارهای مختلف شدت میدان الکتریکی، کسرهای مولی و مکان پیوند ناهمگون را محاسبه می کنیم. این مدل علاوه بر سادگی و قابلیت گسترش به سایر ...

در این پژوهش، با استفاده از آهنگ حامل های الکتریکی در ناحیه تکثیر به شبیه سازی جریان نوری و بهره آشکارساز نوری بهمنی پرداخته شده است. با در نظر گرفتن سازوکارهای مهمی مانند جذب نور، بازترکیب، یونیزاسیون برخوردی و رانش الکتریکی برای هر سلول مکانی یک ماتریس 2×2 تعریف می شود که حاصل ضرب این ماتریس ها، تکثیر پی در پی حامل ها را مدل می کند. مدل ارائه شده تا حدودی ساده است و به سادگی همگرا می شود. مقا...

در این پژوهش، یک مدل رانش- نفوذ ارائه شده است که می تواند برخی پارامترهای آشکارساز نوری بهمنی مانند جریان تاریک، جریان نوری و بهره را با دقت قابل قبولی محاسبه کند. در این مدل دسته معادله های پواسون، چگالی حامل الکتریکی و پیوستگی حامل الکتریکی به صورت همزمان حل شده است. در نظر گرفتن سازوکار یونیزاسیون برخوردی باعث شده است که مدل ارائه شده بتواند حرکت حامل ها در میدان الکتریکی قوی را نیز شبیه ساز...

یکی از محدودیت های اساسی در مینیاتورسازی ترانزیستورها، محدود بودن شیب زیر آستانه ی آن ها به 60mv/dec در دمای اتاق است. آی-ماس (i-mos) که مبتنی بر یونیزاسیون برخوردی است، این محدودیت را به حدود5mv/dec کاهش داده است. آی-ماس یک نانوترانزیستور با ساختار p-i-n دارای گیت است. گیت، بخشی از ناحیه ی ذاتی(i) واقع شده در میان سورس p یا n و درین n یا p را می پوشاند. ساز و کار تزریق حامل در این افزاره بر اس...

در این پژوهش، از مدل مونتکارلو تک ذرهای برای محاسبه سرعت الکترون در نیمرسانای gaas و از مدل مونتکارلو تجمعی برای بررسی دیود n-i-n استفاده شده است. سرعت الکترون در دماهای بین 77 تا 300 درجه کلوین نیز بررسی شده است. همچنین ضریب یونیزاسیون برخوردی الکترون برای ترکیبهای نیم رسانای gaas و alxga1-xas با کسرهای مولی 0.2، 0.3 و 0.4 با در روش مونتکارلوی تجمعی و تک ذرهای به دست آمده است که با دادههای عمل...

به دلیل رخ دادن سازوکار یونیزاسیون برخوردی در آشکارساز نوری بهمنی، این افزاره دارای بهره جریان است. وجود بهره باعث می شود تا آشکارسازی و تقویت جریان همراه با یکدیگر انجام شود و بنابراین نیازی به مدارهای اضافی مربوط به تقویت کنندگی نباشد. یونیزاسیون برخوردی سازوکاری مهم در آشکارساز نوری بهمنی است. در نتیجه، برای تحلیل رفتار آشکارساز نوری بهمنی باید روشی مناسب انتخاب کنیم تا بتوان چنین پدیده ای ر...

در این پژوهش، از یک مدل مونت کارلو دو دره ای برای شبیه سازی اتصال شاتکی استفاده شده است. در مدل ارائه شده، پراکندگی های ناخالصی و فونونی درنظر گرفته شده اند و یونیزاسیون برخوردی در ماتریس پراکندگی قرار گرفته است. باندهای انرژی غیرسهموی فرض شده اند و سازوکارهای تونل زنی و گسیل گرمایونی مولفه های جریانی هستند. با اضافه کردن یک لایه نازک غیر هم نوع با نیم رسانا نشان داده شده است که شکل گیری یک مید...

طیف سنج جرمی زمان پرواز یکی از مهم ترین دستگاه های مورد نیاز برای آنالیز مواد است. در این طیف سنج یون هایی که به وسیله منبع یونش تولید شده اند در یک میدان الکتریکی یکنواخت به سمت ناحیه بدون میدان شتاب می گیرند و بر اساس نسبت جرم به بارشان جدا می شوند و چون سرعت های متفاوتی دارند در زمان های پرواز متفاوت به آشکارساز یونی می رسند. هر طیف سنج جرمی برای شناسایی و تعیین جرم دقیق گونه های مجهول نیاز ...

  زمینه و هدف: هنگام اندازه­گیری دُز جذب­شدة ناشی از پرتوهای الکترونی در یک نقطة مشخص در ماده، مقداری از آن به وسیلة اتاقک یونیزاسیون جایگزین می­شود. بنابراین در میزان تضعیف و پراکندگی پرتوها، تغییراتی ایجاد می­شود. برای در نظر گرفتن اثرات مربوط به این جابه­جایی، یک نقطة مؤثر اندازه­گیری را به عنوان نقطة مرجع در نظر می­گیریم، که این نقطه در بالای مرکز هندسی اتا...

با استفاده از روش ذره در سلول رفتار غبار پلاسمایی در شرایط جو زمین و تأثیر میدان مغناطیسی بر فرآیند باردارشدن ذرات غبار توسط ذرات پلاسما شبیه‌سازی و موردبررسی قرار گرفت. واکنش برخوردی الکترون‌ها با ذرات پلاسما و غبار شامل یونیزاسیون، برانگیختگی و برخورد کشسان فرض شد. تأثیر تفاوت در چگالی اولیه پلاسما و میدان مغناطیسی متفاوت شبیه‌سازی و نتایج آنها باهم مورد مقایسه قرار گرفت. در فرآیند باردارشدن ...